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通過PIP制備聚碳硅烷衍生的3D-SiC支架

科研前沿
2021
07/12
09:01
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撰稿人:李賽、魯中良
撰稿單位:西安交通大學機械制造系統(tǒng)工程國家重點實驗室

碳化硅(SiC)具有耐高溫、耐輻照、高硬度、高模量等特性,是一種極具應用前景的材料。聚合物衍生陶瓷(PDCs)由于其加工溫度低、形成非晶或納米結構、易設計性和前驅體易處理等優(yōu)點而得到了廣泛的研究。直寫打印DIW是一種靈活而強大的方法,能夠通過噴嘴擠出粘彈性油墨來制造廣泛的陶瓷、金屬、聚合物和多種材料。

該研究團隊[1]制備了五種晶須增強的3D-SiC,并將其用作3D-SiC基復合材料的支架。 這些支架包含SiCp和Ti兩種不同的填充物,互連的孔和CVI層的界面。將鈦粉作為活性填料添加到基于PCS的懸浮液中,以吸收釋放的氣體,并旨在提高陶瓷產量。在1800℃下燒結3D-PCS的支架,可以在支架內部建立相互連接的孔。為了改善3D支架與PIP層之間的接觸面積和界面結合強度,使用了CVI工藝3D-SiC支架上形成SiC層。最終通過PIP制備了五種類型的3D SiC基復合材料,并對其微觀結構,組成和力學性能進行了詳細研究。

圖1 基于PCS懸浮液的3D-SiC基復合材料制造工藝示意圖
圖2 采用23個PIP循環(huán)制備3D-SiC基復合材料的SEM圖像
最終結果表明:(1)Ti活性填料有效地提高了陶瓷的成材率,但由于TiCx和TiaSib形成過程中的體積膨脹,導致3D SiC支架中網狀裂紋的形成。(2)在PIP過程中,3D支架的重量增加分為兩個階段,前10個周期為線性關系,后10個周期為拋物線關系。(3)細絲上互連的孔隙或SiCw增加了3D支架與PIP層之間的結合強度,從而提高了拉伸強度。添加Ti填料的3D sic基復合材料的抗拉強度最高,為129.7 MPa,這是由于PIP工藝后3D支架和界面得到了強化。

參考文獻:
H. Xiong, L. Zhao, H. Chen, H. Luo, X. Yuan, K. Zhou, D. Zhang, Building SiC-based composites from polycarbosilane-derived 3D-SiC scaffolds via polymer impregnation and pyrolysis (PIP), Journal of the European Ceramic Society, 41 (2021) 1121-1131.


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