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              鄭州大學(xué):3D打印V2CTxrGO-CNT MXene氣凝膠,用于高容量鈉金屬負(fù)極

              3D打印動態(tài)
              2022
              10/20
              09:40
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              來源:北京永康樂業(yè)

              鈉金屬負(fù)極具有高理論容量,低氧化還原電位,鈉資源豐富并且價(jià)格低廉,逐漸成為當(dāng)前能源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而,由于在反復(fù)嵌入/嵌出過程中鈉枝晶的生長導(dǎo)致的低庫倫效率及容量衰減等問題限制了鈉金屬電池的實(shí)際應(yīng)用。MXene作為新型的二維層狀材料,具有高導(dǎo)電性,豐富的表面官能團(tuán),良好的親水性等特點(diǎn),受到越來越多的關(guān)注。到目前為止,MXene在鈉金屬負(fù)極的研究主要集中在Ti3C2(或Ti3C2Tx)及其衍生物上,其它MXene很少涉及。因此有必要嘗試更多的MXene用于鈉金屬負(fù)極,同時(shí)利用原位、非原位測試以及計(jì)算相結(jié)合的手段系統(tǒng)深入的研究鈉金屬在MXene上沉積的電化學(xué)行為,提高鈉金屬負(fù)極電化學(xué)性能。

              近日,鄭州大學(xué)王燁教授,徐俊敏副教授和新加坡科技與設(shè)計(jì)大學(xué)楊會穎教授合作采用3D打印技術(shù)制備了三維分級多孔結(jié)構(gòu)V2CTx/rGO-CNT微網(wǎng)格氣凝膠作為鈉金屬負(fù)極電極。采用原位TEM和原位光學(xué)顯微成像技術(shù),非原位SEM表征及密度泛函理論模擬技術(shù)(DFT)研究了V2CTx MXene引導(dǎo)鈉沉積的熱力學(xué)和動力學(xué)行為機(jī)制。
              圖1. 3D打印V2CTx/rGO-CNT微格氣凝膠電極制備示意圖。

              利用3D打印技術(shù)制備V2CTx MXene微網(wǎng)格結(jié)構(gòu)應(yīng)用于鈉金屬負(fù)極,具有以下特點(diǎn):(1)3D打印V2CTx/rGO-CNT分級多孔結(jié)構(gòu)骨架具有大比表面積,可以有效降低電流密度以及提供豐富的鈉金屬成核位點(diǎn),抑制鈉枝晶。此外,3D打印可以方便的制備人工可調(diào)厚度,有效提高鈉金屬負(fù)極面容量。(2)3D打印的V2CTx/rGO-CNT相互連通的導(dǎo)電骨架提高電子導(dǎo)電能力,分級有序人工多孔結(jié)構(gòu)有效加速離子傳輸速率,提高反應(yīng)動力學(xué)。具有一定機(jī)械強(qiáng)度的3D打印骨架為整個(gè)電極提供了強(qiáng)有力的支撐,保證在循環(huán)過程中電極的完整性。(3)更加重要的是,V2CTx MXene具有豐富的官能團(tuán)(-O,-F),通過DFT計(jì)算表明這些官能團(tuán)和Na有強(qiáng)的結(jié)合能,比如F-Na之間的結(jié)合能是-0.77 eV, O-Na的結(jié)合能是-1.02 eV,而graphene-Na的結(jié)合能僅為-0.06 eV。因此V2CTx MXene具有極高的親鈉性,可以有效引導(dǎo)鈉金屬均勻沉積。(4)利用原位TEM測試表明鈉金屬在V2CTx /rGO-CNT的沉積是通過rGO傳輸,以V2CTx MXene納米片為中心成核,不斷長大并與周圍的鈉金屬不斷融合的過程。通過原位光學(xué)和非原位SEM證明了3D打印V2CTx/rGO-CNT能夠有效抑制鈉枝晶。

              圖2. 3D V2CTx/rGO-CNT微網(wǎng)格電極的結(jié)構(gòu)表征。

              電化學(xué)測試結(jié)果表明,所制備的Na@V2CTx/rGO-CNT負(fù)極能夠在2 mA cm-2,10 mAh cm-2下穩(wěn)定循環(huán)3000小時(shí)。并且能夠在5 mA cm-2, 50 mAh cm-2的大容量下穩(wěn)定循環(huán)900小時(shí)以上。相關(guān)研究成果以“3D-Printed Sodiophilic V2CTx/rGO-CNT MXene Microgrid Aerogel for Stable Na Metal Anode with High Areal Capacity”為題發(fā)表在國際頂級期刊ACS Nano上。鄭大2020級碩士研究生王子璇為本文第一作者。鄭州大學(xué)王燁教授,徐俊敏副教授和新加坡科技與設(shè)計(jì)大學(xué)楊會穎教授為共同通訊作者。

              圖3. V2CTx/rGO-CNT電極的電化學(xué)性能測試。

              圖4. 非原位SEM測試和原位光學(xué)顯微成像研究鈉金屬負(fù)極在V2CTx/rGO-CNT電極上的沉積行為。

              圖5. 利用原位TEM分析鈉金屬在V2CTx/rGO-CNT電極上沉積過程中形貌演變過程。利用DFT計(jì)算Na與C(石墨烯)、F(V2CF)和O(V2CO)的結(jié)合能。


              通過3D打印技術(shù)設(shè)計(jì)的V2CTx/rGO-CNT微網(wǎng)格電極具有分級多孔結(jié)構(gòu),其提供了較大的比表面積來降低電流密度,在電鍍/剝離過程中保持了結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。V2CTx MXene表面的官能團(tuán)具有良好的親鈉性,能夠有效的引導(dǎo)鈉的均勻沉積和生長。因此所制備的V2CTx/rGO-CNT作為鈉金屬負(fù)極表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性能。該工作不僅闡明了親鈉V2CTx/rGO-CNT微格氣凝膠電極上優(yōu)越的鈉沉積化學(xué),而且為利用3D打印方法制備先進(jìn)的鈉金屬負(fù)極提供了一種新的途徑。

              文章鏈接:http://www.biofabrication.cn/a/news/xueshu/2022/1019/1075.html


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